monocrystalline n - قسم

a. اعلی کیریئر لائف ٹائم

• monocrystalline n -} قسم فاسفورس - ڈوپڈ سلیکن سبسٹریٹ کو 2ms سے زیادہ کیریئر لائف ٹائمز کے ساتھ استعمال کرتا ہے ، جس سے الیکٹران -} سوراخ کی بحالی کے نقصان کو نمایاں طور پر کم کیا جاتا ہے۔
• Advanced hydrogenation passivation technology further enhances minority carrier diffusion length (>500μm) ، اس ٹکنالوجی کے لئے ایک اہم کارکردگی کا بوسٹر۔

بی۔ بائفاسیل ڈیزائن مطابقت

• یہ بائفیسیل پاور جنریشن (85 ٪ تک بائیفیکلیٹی عنصر) کی حمایت کرتا ہے ، جس سے زمینی سطحوں سے عکاس روشنی کو اپنی پیداوار میں 10-25 ٪ تک بڑھایا جاسکتا ہے۔
• شفاف بیک شیٹ کے اختیارات خصوصی ایپلی کیشنز (جیسے ، ایگریواولٹائکس) کے لئے دستیاب ہیں ، جس سے مونوکریسٹل لائن n - قسم کی استعداد کو بڑھایا جاتا ہے۔

a. آکسیجن - مفت کرسٹل نمو

مقناطیسی فیلڈ قید کے ساتھ czochralski عمل آکسیجن کا مواد حاصل کرتا ہے<5ppma, minimizing thermal degradation risks.

بی۔ ایٹم - سطح کی سطح کی انجینئرنگ

نینو - بناوٹ والی سامنے کی سطح (اہرام سائز<1μm) combined with triple-layer ARC coating:

Sio₂ (75nm) / sinₓ (80nm) / tio₂ (50nm) اسٹیک کے لئے<2% reflectivity across 300-1200nm spectrum.

c اعلی درجے کی دھات کاری

9 - سلور-ایلومینیم ہائبرڈ پیسٹ کے ساتھ بسبار ڈیزائن سیریز کے خلاف مزاحمت کو 0.8mΩ · سینٹی میٹر میں کم کرتا ہے۔

لیزر - مدد کی گئی انتخابی emitter پیٹرننگ فرنٹ رابطہ شیڈنگ نقصان کو بہتر بناتی ہے (<3%).

Specialized hydrophobic backsheet prevents biofilm accumulation, maintaining >پانی میں 95 ٪ کارکردگی - بھرپور ماحول۔

شمسی ونڈوز اور فیلیڈ انضمام کے لئے حسب ضرورت شفافیت (10-40 ٪) ، 18 ٪ ماڈیول کی کارکردگی کے ساتھ۔

182 ملی میٹر ویفر سائز چھت کی ترتیب کے ل optim آپ کو بہتر بنایا گیا ، 420W+ آؤٹ پٹ کو حاصل کرنا<1.8m² area.